深圳科励达光电有限公司
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法定代表人
刘骏秋
注册资本
107.7778 万人民币
成立日期
2021-03-15
该企业位于深圳,属于 软件和信息技术服务业
1775558****
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深圳市福田区福保街道福保社区槟榔道10号国际量子研究院第四层
附近企业
股东高管
股东4/高管4
持股比例 XX.XX%
关联企业 4
持股比例 XX.XX%
投资企业 1
持股比例 XX.XX%
投资企业 30
持股比例 XX.XX%
投资企业 1
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自身风险 0条
限制高消费 0
法律文书 0
股权冻结 0
终本案件 0
关联风险 0条
限制高消费 0
法律文书 0
股权冻结 0
终本案件 0
涉及0家企业
启信图谱
企业图谱
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十大受益人
十大受益人
关联方认定图
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股权结构
股权结构
集团图谱
集团图谱
疑似实控人
疑似实控人
股权穿透
股权穿透
关联关系
关联关系
企业链图
企业链图
工商信息
法定代表人: 
关联企业2家
刘骏秋
经营状态:
存续(在营、开业、在册)
成立日期:
2021-03-15
注册资本:
107.7778 万人民币
所属行业:
集成电路设计
企业类型:
有限责任公司
组织机构代码:
MA2KEGEF0
统一社会信用代码:
91330110MA2KEGEF08
纳税人识别号:
330184001474637
营业期限:
2021-03-15到暂无
核准日期:
2024-03-21
登记机关:
深圳市市场监督管理局福田监管局
经营范围:
光电子器件销售;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;电子元器件批发;电子测量仪器销售;集成电路销售;集成电路芯片及产品销售;集成电路芯片及产品制造;集成电路芯片设计及服务;集成电路制造;物联网技术研发;光通信设备销售;电工仪器仪表销售;电力电子元器件销售;软件开发;核电设备成套及工程技术研发;电子元器件与机电组件设备销售;光通信设备制造;电子元器件与机电组件设备制造;电子元器件零售;专业设计服务;货物进出口;技术进出口(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)。无
股东信息
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刘骏秋
关联企业4家
持股比例:XX.XX%
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持股比例:XX.XX%
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主要人员
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刘骏秋
关联企业4家
总经理,董事长
易立夫
关联企业1家
董事
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变更记录
2023-09-18
变更事项:章程备案
变更前
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变更后
-
2023-09-18
变更事项:高级管理人员备案(董事、监事、经理等)
变更前
姓名:刘骏秋证件号码:******************职务:董事长; 【变更】 姓名:易立夫证件号码:******************职务:董事; 姓名:陈春花证件号码:******************职务:监事; 姓名:叶志超证件号码:******************职务:董事;/ 经理; 【退出】 姓名:黄张君证件号码:******************职务:财务负责人; 【退出】
变更后
姓名:刘骏秋证件号码:******************职务:董事长;/ 经理;/ 财务负责人; 【变更】 姓名:易立夫证件号码:******************职务:董事; 姓名:陈春花证件号码:******************职务:监事; 姓名:沈晨证件号码:******************职务:董事; 【新增】
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企业年报
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社保人数
深圳科励达光电有限公司的社保人数
工资分布
深圳科励达光电有限公司的工资分布
同业分析
深圳科励达光电有限公司的同业分析
品牌产品
名称:
芯傲光电
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竞品信息
勒威半导体技术(嘉兴)有限公司
竞品名称:
勒威半导体
产品简介:
半导体激光通信及传感芯片产品解决方案提供商
中科鑫通微电子技术(北京)有限公司
竞品名称:
中科鑫通
产品简介:
光子芯片设计制造商
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融资进程
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打开APP,查看全部1轮融资进程
对外投资
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合肥绚光科技有限公司
法定代表人:
刘骏秋
注册资本:
300 万人民币
注册地址:
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期G4幢C座402-C021
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竞争对手
勒威半导体技术(嘉兴)有限公司
竞品名称:
勒威半导体
竞品简介:
半导体激光通信及传感芯片产品解决方案提供商
中科鑫通微电子技术(北京)有限公司
竞品名称:
中科鑫通
竞品简介:
光子芯片设计制造商
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受益所有人
深圳科励达光电有限公司的受益所有人
疑似实控人
深圳科励达光电有限公司的疑似实控人
招聘信息
招聘职位:
出纳
薪资待遇:
4000-6000
经验要求:
1-3年
学历要求:
大专
工作地点:
杭州-五常街道文一西路998号海创园5号楼
招聘职位:
集成光芯片测试工程师
薪资待遇:
12000-20000
经验要求:
不限
学历要求:
本科
工作地点:
杭州-五常街道文一西路998号海创园5号楼
打开APP,查看全部0条招聘信息
专利信息
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专利名称:
氮化硅膜的制备方法
专利名称:
基于应力光学效应的光移相器结构
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历史信息
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工商信息
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主要人员
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变更记录
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股东高管
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股权出质
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关联企业
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受益所有人
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